Diferencia entre revisiones de «Transistor 2SA1015»
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última versión al 09:58 21 ene 2014
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Transistor 2SA1015. Es un transistor bipolar de silicio de propósito general y pequeña señal.
Partes que lo componen
Este transistor de tipo PNP viene en encapsulado TO92, plástico y con tres pines. Está formado por dos uniones np en contraposición. Físicamente, el transistor está compuesto por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector.
Especificaciones
- Material: Si
- La estructura de transistor: PNP
- Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 400mW
- Limite el colector DC-base (Ucb): 50V
- Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 50V
- Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
- Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 150mA
- Temperatura límite de unión pn (Tj): 125C
- Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 80MHz
- Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 3.5
- Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 70/400
- Fabricante: Toshiba
- Caso 2SA1015: TO92
Aplicaciones
- Multipropósito
- Aplicaciones de baja potencia
