Diferencia entre revisiones de «Transistor 2NA60C»
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última versión al 17:14 14 jun 2024
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Transistor 2NA60C. Transistor MOSFET de canal N de mediana potencia, incluye un diodo en inversa entre las uniones de sumidor(S) y drenador(D). Producido por la empresa Sunmate Electronic Co. Aunque otras tienen sus versiones como, Unisonic Technologies, Sunmate Electronic Compani entre otras. Por su aplicación en circuitos de audio, osciladores y de conmutación, es muy utilizado.
Características
- MOSFET canal N
- Corriente de drenaje (ID) 2 A Ampere
- Corriente pulsante de drenaje (IDM) 8A
- Voltaje de fuente de drenaje (V DSS) 600V (Voltios)
- Potencia máxima de disipación 44 W
- Temperatura de trabajo -55 a +150 grados centígrados
