Diferencia entre revisiones de «BS170»
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BS170 es un transistor Mosfet canal N fabricado de silicio.
Descripción
BS170 es un transistor MOSFET canal N fabricado de silicio y diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de pequeña y mediana potencia. Su encapsulado es plástico de tipo TO-92
Principales características
Potencia máxima de disipación (Pd): 0.83W
Voltaje drenador fuente máximo (Vds): 60V
Voltaje drenador puerta (Vdg): 60V
Voltaje fuente puerta máximo (Vgs): 20V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Transistores equivalentes: BSS123, BS108
Transistor complementario canal P: BS250
Aplicaciones
Dentro de sus aplicaciones tenemos: ampliamente utilizado en circuitos de conmutación, amplificadores de señal, como interfaz entre circuitos lógicos y cargas de mayos potencia y control de pequeños servomotores.
Enlaces externos
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=1342
https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/mmbf170-d.pdf
https://docs.rs-online.com/09db/0900766b80d27015.pdf
https://rythek.com/transistores/472-transistor-bs170-mosfet-8434426102710.html
Fuentes
Motorola Master Cross Reference Guide: Numeric-alpha Listing. Motorola, 1986
Jean-François Machut. Selección de Componentes en Electrónica: Guía del 'Savoir-Faire' de los Circuitos Electrónicos. Marcombo, 2005
Electronics World, Volumen 109. Reed Business Pub., 2003
