Diferencia entre revisiones de «Diodo KD27»
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| + | Si a sus electrodos se conecta una fuente de corriente continua, de manera que su polo "+" se una al ánodo y el "-" al cátodo, el diodo se encontrará abierto y por el circuito formado pasará corriente, cuya intensidad depende de la tensión aplicada y de las propiedades del diodo. | ||
== Características == | == Características == | ||
*Proposito general | *Proposito general | ||
| − | * | + | *Máximo pico voltaje inversa (voltios) 100 Pr |
| − | * | + | *Máxima corriente directa media (AMPES) Si 0.06 |
| − | * | + | *Pico máximo de corriente (amperios) IFSM 0.5 |
| − | * | + | *Máximo de tensión baja (V) Vf 1 @ 200 mA |
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== Usos == | == Usos == | ||
| − | *Amplificadores de audio | + | *Amplificadores de [[audio]] |
| − | *Equipos de medicina | + | *Equipos de [[medicina]] |
*Equipos informáticos | *Equipos informáticos | ||
| − | *Salida de video | + | *Salida de [[video]] |
| − | *La radio | + | *La [[radio]] |
== Fuente == | == Fuente == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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última versión al 10:29 23 ago 2012
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KD27. Es un diodo, compuesto por germanio.
Sumario
Composición
Es un diodo rectificador de propósito general con un pico de voltaje de 100 voltios y una tensión de 200 mA, el ánodo, o sea, el electrodo positivo es la región tipo p y el cátodo, es decir, el electrodo negativo, es la región tipo n. Este dispositivo semiconductor puede hallarse en estado abierto o cerrado, cuando conduce bien la corriente, o cuando la conduce mal.
Si a sus electrodos se conecta una fuente de corriente continua, de manera que su polo "+" se una al ánodo y el "-" al cátodo, el diodo se encontrará abierto y por el circuito formado pasará corriente, cuya intensidad depende de la tensión aplicada y de las propiedades del diodo.
Características
- Proposito general
- Máximo pico voltaje inversa (voltios) 100 Pr
- Máxima corriente directa media (AMPES) Si 0.06
- Pico máximo de corriente (amperios) IFSM 0.5
- Máximo de tensión baja (V) Vf 1 @ 200 mA
Usos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
