Diferencia entre revisiones de «Diodo K3H5»
| (No se muestran 12 ediciones intermedias de 5 usuarios) | |||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
| − | + | <div align=justify> | |
| − | + | '''K3H5'''. Es un [[diodo]], compuesto por [[silicio]]. | |
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | '''K3H5'''. Es un diodo, compuesto por [[silicio]]. | ||
== Partes que lo componen == | == Partes que lo componen == | ||
| − | El ánodo, o sea, el electrodo positivo es la región tipo p y el cátodo, es decir, el electrodo negativo, es la región tipo n. Este dispositivo semiconductor puede hallarse en estado abierto o cerrado, cuando conduce bien la corriente, o cuando la conduce mal. | + | El [[ánodo]], o sea, el electrodo positivo es la región tipo p y el cátodo, es decir, el electrodo negativo, es la región tipo n. Este dispositivo semiconductor puede hallarse en estado abierto o cerrado, cuando conduce bien la corriente, o cuando la conduce mal. |
| + | |||
| + | Si a sus electrodos se conecta una fuente de corriente continua, de manera que su polo "+" se una al ánodo y el "-" al cátodo, el [[diodo]] se encontrará abierto y por el circuito formado pasará corriente, cuya intensidad depende de la tensión aplicada y de las propiedades del [[diodo]]. | ||
| − | |||
== Características == | == Características == | ||
*Rectificador de propósito general | *Rectificador de propósito general | ||
| Línea 23: | Línea 18: | ||
*Salida de [[video]] | *Salida de [[video]] | ||
*La [[radio]] | *La [[radio]] | ||
| + | |||
== Fuente == | == Fuente == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
| − | + | [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] | |
| − | [[Category: Electrónica]] | ||
última versión al 10:20 23 ago 2012
K3H5. Es un diodo, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
El ánodo, o sea, el electrodo positivo es la región tipo p y el cátodo, es decir, el electrodo negativo, es la región tipo n. Este dispositivo semiconductor puede hallarse en estado abierto o cerrado, cuando conduce bien la corriente, o cuando la conduce mal.
Si a sus electrodos se conecta una fuente de corriente continua, de manera que su polo "+" se una al ánodo y el "-" al cátodo, el diodo se encontrará abierto y por el circuito formado pasará corriente, cuya intensidad depende de la tensión aplicada y de las propiedades del diodo.
Características
- Rectificador de propósito general
- Maximun peak reverse voltaje (volts) Prv 1000
- Maximun average forward current (ampes) If 2.5
- Max Peak surge forwar current (amps) Ifsm 30
- Maximun forward voltage drop (volts) Vf 0.93 @ 1A
Usos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.