Diferencia entre revisiones de «IRF630»
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última versión al 05:09 16 nov 2016
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IRF630. Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) destinado a ser utilizado en Fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores, fuentes de alimentación de monitor T.V. y de ordenador.
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO 220
- Conmutador de Potencia
- Corriente de drenador Ic: 10 Ampere
- Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 200 Voltios
- Voltaje máximo fuente-puerta (Ugs): 20 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 150
- Máxima disipación de potencia (Pd): 100 Watt
Usos y aplicaciones
- Circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
- Convertidores
