Diferencia entre revisiones de «Transistor 2SA1897»

 
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'''Transistor 2SA1897.''' [[Transistor]] epitaxial de [[silicio]] PNP para amplificadores de [[potencia]] de baja [[frecuencia]] y conmutación de [[velocidad]] media.
  

última versión al 15:55 31 ago 2024

Transistor 2SA1897
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Transistor 2SA1897. Transistor epitaxial de silicio PNP para amplificadores de potencia de baja frecuencia y conmutación de velocidad media.

Especificaciones máximas

  • Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W.
  • Tensión colector-base (Vcb): 30 V.
  • Tensión colector-emisor (Vce): 20 V.
  • Tensión emisor-base (Veb): 10 V.
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A.
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C.

Características eléctricas

  • Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 180 MHz.
  • Capacitancia de salida (Cc): 220 pF.
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200.
  • Empaquetado / Estuche: NEC.

Fuentes