Diferencia entre revisiones de «Diodo K3H5»
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== Características == | == Características == | ||
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*Maximun forward voltage drop (volts) Vf 0.93 @ 1A | *Maximun forward voltage drop (volts) Vf 0.93 @ 1A | ||
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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Revisión del 12:20 6 sep 2011
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K3H5. Es un diodo, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
El ánodo, o sea, el electrodo positivo es la región tipo p y el cátodo, es decir, el electrodo negativo, es la región tipo n. Este dispositivo semiconductor puede hallarse en estado abierto o cerrado, cuando conduce bien la corriente, o cuando la conduce mal.
Si a sus electrodos se conecta una fuente de corriente continua, de manera que su polo "+" se una al ánodo y el "-" al cátodo, el diodo se encontrará abierto y por el circuito formado pasará corriente, cuya intensidad depende de la tensión aplicada y de las propiedades del diodo.
Características
- Rectificador de propósito general
- Maximun peak reverse voltaje (volts) Prv 1000
- Maximun average forward current (ampes) If 2.5
- Max Peak surge forwar current (amps) Ifsm 30
- Maximun forward voltage drop (volts) Vf 0.93 @ 1A
Usos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
