Diferencia entre revisiones de «Transistor BC160-06»

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Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
 
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
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*Frecuencia MHz  200 Min
 
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* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
 
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* Imagen de Wikipedia.
 
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[[Category: Electrónica]]
 
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Revisión del 11:35 6 sep 2011

Transistor BC160-06
Información sobre la plantilla
T1.jpeg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.

BC160-06. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.

Características

  • Polaridad (P-N-P)
  • Amplificador de audio y driver
  • Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
  • De colector a base (CBO) 60 Voltios
  • De colector a emisor (CEO) 50 Voltios
  • De emisor a base (EBO) 5 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 120 Min
  • Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 1-0.75 (Watts)
  • Frecuencia MHz 200 Min

Usos

Fuente

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
  • Imagen de Wikipedia.