Diferencia entre revisiones de «Familia lógica DTL»
(Etiqueta: no tiene enlaces internos) |
|||
| Línea 3: | Línea 3: | ||
''' Familia Lógica DTL''' | ''' Familia Lógica DTL''' | ||
| − | Familia Lógica DTL esta compuesta por diodos y transistores básicamente. La función lógica es realizada por la combinación de diodos a la entrada y el transistor inversor a la salida, de ahí su nombre (Diodo, Transistor, Lógica). | + | Familia Lógica DTL esta compuesta por [[diodos]] y transistores básicamente. La función lógica es realizada por la combinación de diodos a la entrada y el [[transistor]] inversor a la salida, de ahí su nombre (Diodo, Transistor, [[Lógica]]). |
| Línea 10: | Línea 10: | ||
== Funcionalidad de las DTL == | == Funcionalidad de las DTL == | ||
| − | Cuando cualquiera de sus entradas esta en nivel bajo el transistor de salida pasa al corte y la tensión de su colector pasa a nivel alto. Sólo cuando todas las entradas están a nivel alto, conducirá el transistor y la tensión de su colector será baja. Esta puerta realiza la función NAND en lógica positiva, y la NOR en lógica negativa. | + | Cuando cualquiera de sus entradas esta en nivel bajo el transistor de salida pasa al corte y la [[tensión]] de su colector pasa a nivel alto. Sólo cuando todas las entradas están a nivel alto, conducirá el transistor y la tensión de su colector será baja. Esta puerta realiza la función NAND en lógica positiva, y la NOR en lógica negativa. |
| Línea 16: | Línea 16: | ||
| − | Estas puertas se pueden mejorar todavía más si sustituimos el diodo D por un transistor Q2, tal como se indica en la ilustración siguiente. Cuando Q2 está conduciendo se encuentra en su región activa y no en saturación. Esta conclusión se obtiene a partir del hecho de que en la resistencia R2 la corriente está en la dirección de la polarización inversa de la unión del colector del transistor Q2. Como la corriente del emisor de este transistor alimenta la corriente de base de Q1, éste está excitado por una corriente de base mucho mayor que el transistor del circuito anterior con dos diodos. Tomando transistores con iguales características para uno y otro circuito se observa claramente que este último circuito tiene una corriente de colector mucho mayor y, por lo tanto, una capacidad de salida o fan-out mayor. | + | Estas puertas se pueden mejorar todavía más si sustituimos el diodo D por un transistor Q2, tal como se indica en la ilustración siguiente. Cuando Q2 está conduciendo se encuentra en su región activa y no en saturación. Esta conclusión se obtiene a partir del hecho de que en la [[resistencia]] R2 la corriente está en la dirección de la polarización inversa de la unión del colector del transistor Q2. Como la corriente del emisor de este transistor alimenta la corriente de base de Q1, éste está excitado por una corriente de base mucho mayor que el transistor del circuito anterior con dos diodos. Tomando transistores con iguales características para uno y otro circuito se observa claramente que este último circuito tiene una corriente de colector mucho mayor y, por lo tanto, una capacidad de salida o fan-out mayor. |
[[Image:Dt_modificada.JPG|thumb|left|367x309px| Puerta DTL mejorada]] | [[Image:Dt_modificada.JPG|thumb|left|367x309px| Puerta DTL mejorada]] | ||
| Línea 47: | Línea 47: | ||
La velocidad de conmutación viene fijada por: | La velocidad de conmutación viene fijada por: | ||
| + | |||
1- La velocidad de los dispositivos | 1- La velocidad de los dispositivos | ||
| − | 2- Las constantes de tiempo de los circuitos | + | |
| + | 2- Las constantes de tiempo de los circuitos | ||
| + | |||
| + | |||
En las DTL se observa que la impedancia de salida a nivel alto es tres veces mayor que en RTL. Si consideramos que una puerta DTL va a excitar a una serie de puertas de su misma familia conectadas a su salida, y que cada una de ellas tiene una capacidad parásita a masa, | En las DTL se observa que la impedancia de salida a nivel alto es tres veces mayor que en RTL. Si consideramos que una puerta DTL va a excitar a una serie de puertas de su misma familia conectadas a su salida, y que cada una de ellas tiene una capacidad parásita a masa, | ||
veremos que las capacidades de las puertas de carga aparecen en paralelo y de la que nos resultará una constante de tiempo de valor igual al producto del número de puertas por la capacidad parásita y por la resistencia de salida de la puerta que soporta la carga. De donde | veremos que las capacidades de las puertas de carga aparecen en paralelo y de la que nos resultará una constante de tiempo de valor igual al producto del número de puertas por la capacidad parásita y por la resistencia de salida de la puerta que soporta la carga. De donde | ||
Revisión del 19:59 27 oct 2011
| ||||
Familia Lógica DTL Familia Lógica DTL esta compuesta por diodos y transistores básicamente. La función lógica es realizada por la combinación de diodos a la entrada y el transistor inversor a la salida, de ahí su nombre (Diodo, Transistor, Lógica).
Sumario
Funcionalidad de las DTL
Cuando cualquiera de sus entradas esta en nivel bajo el transistor de salida pasa al corte y la tensión de su colector pasa a nivel alto. Sólo cuando todas las entradas están a nivel alto, conducirá el transistor y la tensión de su colector será baja. Esta puerta realiza la función NAND en lógica positiva, y la NOR en lógica negativa.
Modificación de la Puerta DTL
Estas puertas se pueden mejorar todavía más si sustituimos el diodo D por un transistor Q2, tal como se indica en la ilustración siguiente. Cuando Q2 está conduciendo se encuentra en su región activa y no en saturación. Esta conclusión se obtiene a partir del hecho de que en la resistencia R2 la corriente está en la dirección de la polarización inversa de la unión del colector del transistor Q2. Como la corriente del emisor de este transistor alimenta la corriente de base de Q1, éste está excitado por una corriente de base mucho mayor que el transistor del circuito anterior con dos diodos. Tomando transistores con iguales características para uno y otro circuito se observa claramente que este último circuito tiene una corriente de colector mucho mayor y, por lo tanto, una capacidad de salida o fan-out mayor.
Características de las DTL
Velocidad de DTL
La velocidad de conmutación viene fijada por:
1- La velocidad de los dispositivos
2- Las constantes de tiempo de los circuitos
En las DTL se observa que la impedancia de salida a nivel alto es tres veces mayor que en RTL. Si consideramos que una puerta DTL va a excitar a una serie de puertas de su misma familia conectadas a su salida, y que cada una de ellas tiene una capacidad parásita a masa,
veremos que las capacidades de las puertas de carga aparecen en paralelo y de la que nos resultará una constante de tiempo de valor igual al producto del número de puertas por la capacidad parásita y por la resistencia de salida de la puerta que soporta la carga. De donde
resultará, como principal consecuencia o característica, que nos disminuirá considerablemente la velocidad de conmutación en las transiciones de un nivel a otro.
Factor de carga
Esta limitado por el transistor a la salida, que este no puede exceder su corriente de colector un cierto valor máximo. El valor máximo dado por el fabricante es N= 8.
Inmunidad al ruido
Es afectadad básicamente por las interferencias producidas por el ambiente exterior al circuito y a la alta impedancia que suelen ofrecer estas puertas. Para evitar esto último se crearon las puertas HTL, de funcionamiento análogo a las DTL, introduciendo un diodo zener en lugar del diodo convencional utilizado para las puertas DTL.
Ventajas de las DTL
Buena flexibilidad lógica Compatibilidad de niveles lógicos con TTL Baja generación de ruidos Buen fan-out Disipación media de potencia 12 mW
Desventajas de las DTL
Relativamente baja velocidad por su alta impedancia de salida a nivel alto entre 30 y 50 ns. Umbrales dependientes de la temperatura en mayor grado que en otras familias. Alta impedancia de salida a nivel alto y en consecuencia baja inmunidad al ruido.
Fuente
- Microelectronics, Jacob Millman, 1979
- Electrónica Digital. Julio Díaz Calvo. Editorial Pueblo y Educación, 1989
