Diferencia entre revisiones de «Transistor BD138»
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| conn1 = A otros componentes electrónicos. | | conn1 = A otros componentes electrónicos. | ||
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| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, | | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, | ||
{{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | ||
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| − | dos uniones p-n-p, con la característica de que las dos regiones extremas | ||
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Revisión del 10:14 28 nov 2011
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BD138. Transistor bipolar compuesto por silicio con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos.
Sumario
Partes que lo componen
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, con la característica de que las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, y la región intermedia posee otro tipo de conductibilidad. Estas regiones son llamadas emisor, colector y base.
Características
- Material: Silicio
- Polaridad: P-N-P
- Encapsulado: TO 126
- Amplificador de audio, driver
- Corriente de colector Ic: 1 Ampere
- De colector a emisor (CEO): 60 Voltios
- De emisor a base (EBO): 0.5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa. hfe: 40-160
- Máxima disipación de potencia en colector Pd: 12.5 Watts
- Frecuencia de trabajo: 75 MHz
Transistores equivalentes
Transistores complementarios
Usos y aplicaciones
- Audio
- La radio
- Televisión
- Equipos electrónicos de medicina
- Como complementarios en amplificadores
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de www.boyreparaciones.com