Diferencia entre revisiones de «Transistor BD239C»
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*De emisor a base (EBO) 5 Voltios | *De emisor a base (EBO) 5 Voltios | ||
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 40 Min | *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 40 Min | ||
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*Frecuencia MHz 3 Min | *Frecuencia MHz 3 Min | ||
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BD243A, BD243B, BD243C, BD277, BD543, BD705, BD707, BD709, BD711, BD795, BD797, BD799, BD801, BD805, BD807, BD809, BD905, BD907, BD907B, BD909, BD911. | BD243A, BD243B, BD243C, BD277, BD543, BD705, BD707, BD709, BD711, BD795, BD797, BD799, BD801, BD805, BD807, BD809, BD905, BD907, BD907B, BD909, BD911. | ||
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== Usos == | == Usos == | ||
*Equipos de medicina | *Equipos de medicina | ||
Revisión del 11:14 6 jun 2012
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BD239C. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Sumario
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Amplificador de audio de potencia
- Corriente máxima de colector (Ic) 15 Ampere
- De colector a base (CBO) 100Voltios
- De colector a emisor (CEO) 100Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 40 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 90 (Watts)
- Frecuencia MHz 3 Min
Transistores equivalentes
BD243A, BD243B, BD243C, BD277, BD543, BD705, BD707, BD709, BD711, BD795, BD797, BD799, BD801, BD805, BD807, BD809, BD905, BD907, BD907B, BD909, BD911.
Posición en el diagrama
- Inciso (a)
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores de audio
- Fuentes de voltaje
- Otros equipos
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
