Diferencia entre revisiones de «Transistor C1758-K»
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Revisión del 13:34 17 jun 2012
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C1758-K . Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferentes conductibidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee un Terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Gen Purp salida y driver
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.1 Ampere
- De colector a base (CBO) 90 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 75 Voltios
- De emisor a base (EBO) 5 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 120 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 6.25 (Watts) 1.33
- Frecuencia MHz 150 Min
Usos
- Equipos de medicina
- Amplificadores de potencia media
- Equipos informáticos
- La radio
Fuentes
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
