Diferencia entre revisiones de «Transistor 2SC1173»
(→Principales características) |
|||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
{{Objeto|nombre= Transistor 2SC1173 | {{Objeto|nombre= Transistor 2SC1173 | ||
| − | |imagen= | + | |imagen=2sc1173.jpg |
|tamaño=150px | |tamaño=150px | ||
|descripcion= Transistor de Potencia NPN | |descripcion= Transistor de Potencia NPN | ||
Revisión del 08:16 12 jun 2018
| ||||
Transistor 2SC1173. Es un transistor de Silicio de alta potencia de tipo NPN.
Descripción
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores como son; Thoshiba Semiconductor, INCHANGE Semiconductor y SavantIC Semiconductor. Se fabrican con el encapsulado TO-220A con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de polaridad NPN. Estos se destacan por sus características robustas en cuanto a voltaje, corriente y potencia. Su complementario es el transistor 2SA473.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Colector-Emisor (Vce0) | 30V |
| Corriente de Colector (IC) | 3A |
| Ganancia mínima | 25 |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 25W |
| Frecuencia de Trabajo (Ft) | 100MHz |
Aplicaciones
• Amplificadores de potencia de baja frecuencia
• Regulador de potencia.