Diferencia entre revisiones de «Transistor IGBT IKW30N60T»
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Revisión del 08:35 23 nov 2018
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IKW30N60T . Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
Descripción
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Infineon technologies. Se fabrican con el encapsulado PG -TO247-3 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II) . Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Colector-Emisor (Vce0) | 600V |
| Corriente de Colector (IC) | 30 A |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 187W |
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
Fuentes
- [ https://www.datasheetspdf.com/pdf/842528/InfineonTechnologies/K30T60/1 www.datasheetspdf.com]
