Diferencia entre revisiones de «IRFP442»
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Revisión del 21:12 10 may 2019
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IRFP442. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en controladores de motor conmutación de alta corriente y alta velocidad, Fuentes de alimentación de modo conmutado (smps).
Partes que lo componen
- Fuente (S, Source)
- Drenador (D, Drain)
- Puerta (G, Gate)
Características
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Encapsulado: TO3P
- Conmutador de Potencia
- Corriente de Drenador Ic: 7 Ampere
- Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 500 Voltios
- Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 150
- Máxima disipación de potencia (Pd): 125 Watt
- Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 1.1
Usos y aplicaciones
- Conmutación de alta corriente y alta velocidad
- Convertidores DC-AC para equipos de soldadura
