Diferencia entre revisiones de «Transistor 2N2222»

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'''Transistor 2N2222'''. Es un transistor de [[silicio]] y baja [[potencia]], diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la [[Philips Semiconductors]]. Identificado también como PN2222 por otros fabricantes.  
 
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Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más
 
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más
 
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En la  figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados.
 
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*[[Radiofrecuencia]]
 
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*Aplicaciones de conmutación
 
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*[http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2N2222 alldatasheet.com]
 
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última versión al 00:39 18 may 2020

Transistor 2N2222
Información sobre la plantilla
2N2222.jpeg
Componente electrónico utilizado en equipos de amplificación y otras aplicaciones.

Transistor 2N2222. Es un transistor de silicio y baja potencia, diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la Philips Semiconductors. Identificado también como PN2222 por otros fabricantes.

Descripción:

Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23, y SOT-223.

Principales características:

Figura I.
  • Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
  • Corriente de colector constante 800mA (Ic)
  • Potencia total disipada 500mW(Pd)
  • Ganancia o hfe 35 mínima
  • Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
  • Encapsulado de metal TO-18
  • Estructura NPN
  • Su complementario PNP es el Transistor 2N2907

En la figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados.

Principales fabricantes:

Aplicaciones:

Fuente: