Diferencia entre revisiones de «Transistor 2SK1317»
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Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. | Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. | ||
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Revisión del 14:27 26 dic 2022
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MOSFET 2SK1317. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
Sumario
Descripción
Este tipo de componente es fabricado por la Renesas, HITACHI Semiconductor entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, alto voltaje, y costo-efectividad. Adecuado para regulador de conmutación, convertidor CD-CD y controlador de motor.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDSS) | 1500V |
| Voltaje Compuerta Surtidor (VDSS) | 20V |
| Corriente de Drenador (ID) | 2,5A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 12Ω Máx |
| Potencia Total de Disipación (PD) | 100W |
Fabricantes
| Fabricantes | Logo |
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| Renesas | [[Image: |thumb|center|150px]] |
| HITACHI Semiconductor | [[Image: |thumb|center|150px]] |
Aplicaciones
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
Enlaces externos
Fuentes
- [2]
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
