Diferencia entre revisiones de «Transistor F3NK80Z»

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Revisión del 11:24 30 dic 2022

MOSFET F3NK80Z
Información sobre la plantilla

MOSFET F3NK80Z . Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).

Descripción

[[Image: |thumb|right|250px|Figura I.]] El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la STMicroelectronics, la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja resistencia. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los MOSFET de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.

Principales características

Características Valor
Voltaje Drenador Surtidor (VDDS) 800V
Corriente de Drenador (ID) 2,5A
Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) 4,5Ω Máx
Potencia Total de Disipación ( PD) 70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP

Fabricantes

Fabricantes Logo
STMicroelectronics
STMICROELECTRONICS.GIF

Aplicaciones

Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

Enlaces externos

Fuentes