Diferencia entre revisiones de «Transistor 2N3055»

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== Características ==
 
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*Transistor  [[amplificador]] de [[potencia]] de [[audio]]
 
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*Corriente máxima de colector (Ic)15 [[Ampere]]  
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*Corriente máxima de colector (Ic) 15 [[Ampere]]  
*De [[colector]] a [[base]](CBO) 100 Voltios  
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*De [[colector]] a [[base]] (CBO) 100 Voltios  
*De colector a [[emisor]](CEO) 60 Voltios
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*De emisor a base (EBO) 7 Voltios
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*De emisor a base (EBO) 7 Voltios
 
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 45  
 
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 45  
 
*Máxima [[disipación]] de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)
 
*Máxima [[disipación]] de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)

Revisión del 11:42 18 ago 2011

2N 3055.
Información sobre la plantilla
260px
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Japón y otros países.

2N 3055

Partes del componente

El 2N 3055 es un transistor bipolar, y como los diodos, pueden ser de Germanio o Silicio. Los transistores bipolares consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso que este representa en diversos aparatos electrónicos.

Características

Fuente

  • NTE Electronics.inc.