Diferencia entre revisiones de «Transistor 2N3055»
| Línea 6: | Línea 6: | ||
| manuf1 = Japón y otros países. | | manuf1 = Japón y otros países. | ||
}} | }} | ||
| − | + | '''2N 3055'''. | |
== Partes del componente == | == Partes del componente == | ||
El 2N 3055 es un transistor bipolar, y como los diodos, pueden ser de Germanio o Silicio. Los transistores bipolares consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso que este representa en diversos aparatos electrónicos. | El 2N 3055 es un transistor bipolar, y como los diodos, pueden ser de Germanio o Silicio. Los transistores bipolares consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso que este representa en diversos aparatos electrónicos. | ||
Revisión del 11:47 18 ago 2011
| ||||||||
2N 3055.
Partes del componente
El 2N 3055 es un transistor bipolar, y como los diodos, pueden ser de Germanio o Silicio. Los transistores bipolares consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso que este representa en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Transistor amplificador de potencia de audio
- Corriente máxima de colector (Ic) 15 Ampere
- De colector a base (CBO) 100 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 60 Voltios
- De emisor a base (EBO) 7 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 45
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)
Fuente
- NTE Electronics.inc.
