Diferencia entre revisiones de «Transistor 2N277»
(Página creada con ' {{Ficha Hardware | nombre = 2N277 | imagen = 2N10.jpeg | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos. | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China...') |
|||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
| − | |||
{{Ficha Hardware | {{Ficha Hardware | ||
| nombre = 2N277 | | nombre = 2N277 | ||
| Línea 10: | Línea 9: | ||
== Partes que lo componen == | == Partes que lo componen == | ||
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | ||
| + | |||
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | ||
== Características == | == Características == | ||
| Línea 24: | Línea 24: | ||
*2N278 | *2N278 | ||
== Usos == | == Usos == | ||
| − | *Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales. | + | *Este transistor posee un amplio uso en equipos de [[medicina]], [[amplificadores]] de [[potencia]] media, equipos informáticos, la [[radio]] y otros aparatos electrónicos con fines comerciales. |
== Fuente == | == Fuente == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
* Imagen de Wikipedia. | * Imagen de Wikipedia. | ||
[[Category: Electrónica]] | [[Category: Electrónica]] | ||
Revisión del 17:45 14 sep 2011
| ||||||||
2N277. Es un transistor bipolar, compuesto por germanio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (P-N-P)
- Alta potencia para salida de motores y driver
- Corriente máxima de colector (Ic) 25 Ampere
- De colector a base (CBO) 50 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 40 Voltios
- De emisor a base (EBO) 30 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 30 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 170 (Watts)
- Frecuencia MHz 250 Min
Transistores equivalentes
- 2N278
Usos
- Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales.
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
