Diferencia entre revisiones de «Transitor 2N23»
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Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. | ||
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En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos. | ||
== Características == | == Características == | ||
*Polaridad (P-N-P) | *Polaridad (P-N-P) | ||
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*Corriente máxima de colector (Ic) 0.15 [[Ampere]] | *Corriente máxima de colector (Ic) 0.15 [[Ampere]] | ||
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| − | *Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales. | + | *Este transistor posee un amplio uso en equipos de [[medicina]], [[amplificadores]] de [[potencia]] media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales. |
== Fuente == | == Fuente == | ||
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005. | ||
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Revisión del 17:46 14 sep 2011
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2N23. Es un transistor bipolar, compuesto por germanio.
Partes que lo componen
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
Características
- Polaridad (P-N-P)
- RF-IF Amp, TV, Radio
- Corriente máxima de colector (Ic) 0.15 Ampere
- De colector a base (CBO) 25 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 24 Voltios
- De emisor a base (EBO) 12 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 90 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.15 (Watts)
- Frecuencia MHz
Transistores equivalentes
- 2N15, 2N24, 2N25, 2N26, 2N32, 2N39, 2N40, 2N41, 2N42, 2N49
Usos
- Este transistor posee un amplio uso en equipos de medicina, amplificadores de potencia media, equipos informáticos, la radio y otros aparatos electrónicos con fines comerciales.
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
