Lógica de Inyección Integrada

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Lógica de Inyección Integrada
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Lógica de inyección integrada

Lógica de Inyección Integrada : La Lógica de Inyección Integrada o I 2L la celda básica está constituida por transistores de unión bipolar. Presenta la más alta densidad de integración bipolar, con mucho menor consumo que TTL. No se necesitan islas de aislamiento y como muchas de las interconexiones entre elementos se realizan internamente a través de las regiones P y N de la pastilla de silicio la densidad de circuitos que se pueden obtener superan a la tecnología MOSFET, es adecuada para integración a gran escala (IGE).


Características de las I 2L para poder ser usados en IGE

El proceso tecnológico de fabricación debe ser lo más simple posible para que brinde un rendimiento aceptable. La celda básica (compuerta) debe ser simple y lo más compacta posible , para poder integrar gran cantidad de ellas en una misma pastilla. El producto potencia- demora debe ser tal que cuando se opere a una frecuencia razonable no provoque disipación excesiva.

Celda básica

Consiste en: Un transistor multicolector NPN Un transistor PNP El transistor npn multicolector es vertical, funciona como inversor, mientras que el pnp es lateral y realiza la inyección de corriente. No se requieren de resistencias elevadas y la base del npnmulticolector es común al colector del inyector pnp lateral. Como resultado se obtiene que una puerta I 2L ocupa el área de un solo transistor multiemisor de la Familia Lógica TTL.

Funciones lógicas usando circuitos I 2L

Con los circuitos I 2L se puede realizar cualquier función lógica a pesar de actuar como inversores. Ejemplo funciona NOR: consiste en efectuar una conexión cableada de los colectores de los transistores npn.

Interfase I 2L y TTL

El acoplamiento de un circuito I 2L a un circuito TTL se puede realizar al conectar una resistencia externa en el terminal de salida del circuito integrado I 2L, alimentándola con + 5v.

Cuando en la salida I 2L   existe el estado 0, el transistor de salida se encontrará saturado  y le entregará la tensión adecuada  aproximadamente 0,1 v a la entrada TTL; sí por el contrario  en la salida I 2L   existe el estado 1, el transistor estará  cortado  y en la entrada TTL aparecerá aproximadamente  un nivel  de 5v , adecuado para circuitos  TTL.

Ventajas y desventajas de los I 2L

La ventaja fundamental de los circuitos I 2L en comparación con otras familias bipolares es la pequeña área de silicio que ocupa en el circuito integrado debido a la compacta estructura que presenta su celda básica. Baja potencia de disipación. Esta potencia es proporcional a la corriente promedio Icc inyectada por la fuente de alimentación al circuito integrado.

La velocidad de los circuitos I 2L    aunque no alcanza las velocidades  de los circuitos  ECL  o Schottky TTL, no es de las peores.

Del funcionamiento de los circuitos I 2L se puede apreciar que los niveles lógicos internos al circuito integrado corresponderán a Vce(sat) y Vbe, es decir, 0,1 y 0,7 aproximadamente .Por esto, los márgenes de ruido son pequeños comparados con otras familias lógicas.


Clasificación de las memorias semiconductoras














Fuente

  • Microelectronics, Jacob Millman, 1979
  • Electrónica Digital. Julio Díaz Calvo. Editorial Pueblo y Educación, 1989