Transistor TAN350
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Transistor TAN350, fabricado y diseñado para aplicaciones de RF de alta potencia.
Descripción
Este componente consiste en un transistor bipolar de base común fabricado por la firma Microsemi, y diseñado para sistemas pulsátiles, en la gama de frecuencias entre 900 y 1215 MHz, metalizado con una capa fina en oro, para lograr un mejor tiempo medio entre fallos (MTTF). Además de su baja resistencia térmica que reduce la temperatura de la unión y prolonga su vida útil.
Principales características
Disipación máxima: 1450 W
Frecuencia de trabajo: 900 – 1215 MHz
Voltaje máximo entre coletor y base: 65 V
Voltaje máximo entre emissor y base: 2 V
Corriente máxima de coletor: 40 A
Potencia de salida: 350 W (min)
Potencia de entrada: 70 W (max)
Aplicaciones
Producción y desarrollo de sistemas de control en la aviación.
Enlaces externos
http://www.microsemi.com www.datasheetcatalog.com
Fuentes
Revista Saber Eletrónica - Año 44 - Número 422- Marzo de 2008.
