IGBT BUP200
| ||||
BUP200. Es un IGBT , transistor bipolar de puerta aislada, con una amplia gama de aplicaciones en el mundo de la electrónica.
Descripción
BUP200 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), un dispositivo semiconductor que generalmente se utiliza como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia, constituye, desde el punto de vista de su empleo, un híbrido entre los transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los últimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia de conducción de los primeros. Los IGBT ofrecen ventajas sustanciales frente a los transistores bipolares de potencia, por lo que están sustituyendo a éstos en un amplio campo de aplicaciones.
Principales características
Voltaje colector emisor: 1200V (Vce)
Voltaje colector puerta: 1200V (Vcgr)
Voltaje puerta emisor: ± 20V (Vge)
Corriente directa de colector: 3.6A (Ic)
Temperatura de funcionamiento: -55 a 150 ºC (Tj)
Potencia de disipación: 50W (Ptot)
Encapsulado: TO-220AB
Aplicaciones
Recomendado para aplicaciones de control de potencia y controles de motores paso a paso (PWM), solenoides y otros relacionados con la industria y la electrónica de consumo, proporcionando estos componentes una alternativa importante para los diseñadores.
Enlaces externos
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/novos-componentes/7901-bup200-bup604-igbts-siemens-com416 http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/U/P/2/BUP200.shtml http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresIGBT.html http://prezi.com/stseysfqrypr/transistores-igbt/ http://es.wikipedia.org/wiki/IGBT
Fuente
Peter Bastian. Electrotecnia. Ediciones Akal, S.A, 2001. Ruiz Robredo Gustavo A. Electrónica Básica para Ingenieros. Formato digital. Boylestad, Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. EU: Pearson, 2003.
