MTB29N15E
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MTB29N15E es un Mosfet de potencia canal N, de 29A y 150V.
Descripción
MTB29N15E es un Mosfet de potencia canal N, diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Su diseño energéticamente eficiente ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo de recuperación muy rápido. Este dispositivo es particularmente muy adecuado para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y la conmutación de las áreas de operación seguras son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.
Principales características
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150Vdc
Voltaje de drenaje a puerta (RGS = 1.0 MΩ) (Vdgr): 150Vdc
Voltaje de puerta a fuente continuos (Vgs): ±20Vdc
Voltaje de puerta a fuente no repetitivo (tp ≤ 10 ms) (Vgsm): ±40Vpk
Corriente de drenaje continua (Id): 29Adc
Corriente de drenaje continúa pulso único (tp ≤ 10 µs) (Idm): 102Apk
Disipación total de la energía (Pd): 125W
Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento (Tj,Tstg): -55 a 150°C
Encapsulado: D2PAK o también conocido como TO-263 para montaje superficial.
Aplicaciones
Diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de velocidad de motores eléctricos.
Enlaces externos
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MTB29N15E-D.PDF
https://datasheetspdf.com/pdf-file/506585/Motorola/MTB29N15E/1
https://m.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/5404/MOTOROLA/MTB29N15E.html
Fuente
Power MOSFETs, ON Semiconductor, Apr-2001
