MTP23P06V
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MTP23P06V es un transistor Mosfet de potencia de canal P, de 23A y 60V. Su encapsulado de tipo TO-220.
Descripción
MTP23P06V es un transistor Mosfet de potencia canal P diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación, especialmente adecuados para puentes, circuitos en los que la velocidad del diodo y las áreas operativas seguras de conmutación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.
Principales características
Tensión drenaje fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta fuente (Vgs): 15 V
Corriente continua de drenaje (Id): 23 A
Tensión umbral compuerta fuente (Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 38 nC
Tiempo de elevación (tr): 98.3 nS
Conductancia de drenaje sustrato (Cd): 380 pF
Resistencia drenaje fuente (Rds(on)): 0.12 Ω
Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento (Tj, Tstg): -55 a 175 °C
Disipación total del dispositivo (Pd): 90 W
Aplicaciones
Sus aplicaciones son muy variadas, entre ellas tenemos: conmutación de velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motores eléctricos de potencia.
Enlaces externos
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MTP23P06V-D.PDF
https://datasheetspdf.com/pdf/489134/Motorola/MTP23P06V/1
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=47970
Fuente
Power MOSFETs, ON Semiconductor, Apr-2001
