Transistor IRFP264

IRFP264 Transistor MOSFETCanal N, Pines y Simbología Conectado a: A otros componentes electrónicos

IRFP264. Transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado en controladores de motor conmutación de alta corriente y alta velocidad, Fuentes de alimentación de modo conmutado (smps).

Partes que lo componen

• Fuente (S, Source)
• Drenador (D, Drain)
• Puerta (G, Gate)

Características

• Material: metal-óxido-semiconductor
• Polaridad: canal N
• Encapsulado: TO3P
• Conmutador de Potencia
• Corriente de Drenador Ic: 38 Ampere
• Voltaje máximo drenador-fuente (Uds): 250 Voltios
• Voltaje máximo puerta-fuente (Ugs): 10 Voltios
• Carga total de la puerta (Qg): 210 nC
• Temperatura máxima de la unión (Tj): 150 °C
• Máxima disipación de potencia (Pd): 280 Watt
• Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.075

Usos y aplicaciones

• Conmutación de alta corriente y alta velocidad
• Convertidores DC-AC para equipos de soldadura

Fuentes

• http://alltransistors.com