Transistor 2n5458

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2N5458
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2N5458.jpg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:{ USA }

2N5458. Es un transistor de propósito general de efecto de campo (JFET) de canal N de baja potencia. Al mirarlo de frente encontramos de izquierda a derecha la distribución de sus terminales 1 DRAIN (drenador) 2 SOURCE (sumidor) 3 GATE (compuerta). Producido por la empresa norteamericana ON Semiconductor, aunque otras tienen sus versiones como, New Jersey Semi-Conductor, Calogic, LLC, Intersil Corporation y Fairchild Semiconductor entre otras. Su par complementario es el 2N5457.

Transistor 2n5458
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Distribucion 2N5458.jpg
distribución pines 2N5458

Características

  • JFET canal N
  • Drain- Source voltage (Vds) 25V
  • Drain- Gate voltage (Vdg) 25V
  • reverse Gate- Source voltage (V gsr) -25V
  • Potencia máxima de disipación 310 mW
  • Temperatura de trabajo -65 a +150 grados centígrados

Usos

Fuentes