Transistor 2n5458

2N5458 Transistor. Conectado a: A otros componentes electrónicos. Fabricantes: { USA }

Transistor 2N5458. Es un transistor de propósito general de efecto de campo (JFET) de canal N de baja potencia. Al mirarlo de frente encontramos de izquierda a derecha la distribución de sus terminales 1 DRAIN (drenador) 2 SOURCE (sumidor) 3 GATE (compuerta). Producido por la empresa norteamericana ON Semiconductor, aunque otras tienen sus versiones como, New Jersey Semi-Conductor, Calogic, LLC, Intersil Corporation y Fairchild Semiconductor entre otras. Su par complementario es el 2N5457.

Características

• JFET canal N
• Drain- Source voltage (Vds) 25V
• Drain- Gate voltage (Vdg) 25V
• reverse Gate- Source voltage (V gsr) -25V
• Potencia máxima de disipación 310 mW
• Temperatura de trabajo -65 a +150 grados centígrados

Usos

• Equipos de medicina
• Equipos informáticos
• La radio

Fuentes

• https://html.alldatasheet.es/html-pdf/171213/ONSEMI/2N5458/215/1/2N5458.html