MTP23P06V

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MTP23P06V
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MTP23P06V es un transistor Mosfet de potencia de canal P, de 23A y 60V. Su encapsulado de tipo TO-220.

Descripción

MTP23P06V es un transistor Mosfet de potencia canal P diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación, especialmente adecuados para puentes, circuitos en los que la velocidad del diodo y las áreas operativas seguras de conmutación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

Principales características

Tensión drenaje fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 23 A

Tensión umbral compuerta fuente (Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 38 nC

Tiempo de elevación (tr): 98.3 nS

Conductancia de drenaje sustrato (Cd): 380 pF

Resistencia drenaje fuente (Rds(on)): 0.12 Ω

Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento (Tj, Tstg): -55 a 175 °C

Disipación total del dispositivo (Pd): 90 W

Aplicaciones

Sus aplicaciones son muy variadas, entre ellas tenemos: conmutación de velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motores eléctricos de potencia.

Enlaces externos

Fuente

  • Power MOSFETs, ON Semiconductor, Apr-2001