Diodos de potencia

Transistor IGBT Componente electrónico utilizado para controlar altas potencias en la rama de la Electrónica industrial.

Diodos de potencia. Componente electrónico ampliamente utilizado en la electrónica de potencia. A diferencia de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia

Características IFAV: 1A – 6000 A VRRM: 400 – 3600 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) trr: 10 µs

Aplicaciones

• Rectificadores de Red.
• Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

Características

IFAV: 30A – 200 A VRRM: 400 – 1500 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) trr: 0,1 - 10 µs

Aplicaciones

• Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).
• Inversores.
• UPS.
• Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky

Características IFAV: 1A – 120 A VRRM: 15 – 150 V VFmax: 0,7V (a IFAVmax) trr: 5 ns

Aplicaciones

• Fuentes conmutadas.
• Convertidores.
• Diodos de libre circulación.
• Cargadores de baterías.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Características IFAV: 0,45A – 2 A VR: 7,5kV – 18kV VRRM: 20V – 100V trr: 150 ns

Aplicaciones Aplicaciones de alta tensión.

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Características IFAV: 50A – 7000 A VRRM: 400V – 2500V VF: 2V trr:10 µs

Aplicaciones Aplicaciones de alta corriente.

Fuentes

• MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE