Transistor BD119
Revisión del 12:03 21 ago 2011 de Director09 jc.hlg (discusión | contribuciones) (Página creada con ' {{Ficha Hardware | nombre = BD119 | imagen = | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos. | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bander...')
| ||||||
BD119. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.
Partes que lo componen
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
Características
- Polaridad (N-P-N)
- Salida de alta tensión
- Corriente máxima de colector (Ic) 1 Ampere
- De colector a base (CBO) 325 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 300 Voltios
- De emisor a base (EBO) 6 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 40 Min
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 20* (Watts)
- Frecuencia MHz 10 Min
Transistores equivalentes
- BD120, BD127, BD128, BD129.
Usos
- Fuentes estabilizadoras de voltaje
- Rectificadores de voltaje
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
- Imagen de Wikipedia.
