Transistor BD135-1

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BD135-1.
Información sobre la plantilla
Transistor NPN.jpeg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.

BD135-1. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.

Características

  • Polaridad (N-P-N)
  • Amplificador de audio, driver
  • Corriente máxima de colector (Ic) 1.5 Ampere
  • De colector a base (CBO) 180 Voltios
  • De colector a emisor (CEO) 160 Voltios
  • De emisor a base (EBO) 5 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 60 Min
  • Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 20* (Watts)
  • Frecuencia MHz 140 Min

Transistores equivalentes

Usos

  • La radio
  • Televisión
  • Equipos electrónicos de medicina
  • Como complementarios en amplificadores

Fuente

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
  • Imagen de Wikipedia.