Transistor BD115

BD115 Transistor. Conectado a: A otros componentes electrónicos. Fabricantes: Japón, China, Estados Unidos y otros países.

BD115. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.

Características

• Polaridad (N-P-N)
• Salida de alto voltaje de video
• Corriente máxima de colector (Ic) 0.2 Ampere
• De colector a base (CBO) 300 Voltios
• De colector a emisor (CEO) 300 Voltios
• De emisor a base (EBO) 7 Voltios
• Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 100 Min
• Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 1 (Watts)
• Frecuencia MHz 80 Min

Usos

• Salida de video

Fuente

• NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
• Imagen de Wikipedia.