Transistor 2N117(T1)

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2N117(T1)
Información sobre la plantilla
C108.JPG
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.

2N117(T1). Es un transistor bipolar, compuesto por germanio.

Partes que lo componen

Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.

Características

  • Polaridad (N-P-N)
  • Gen Purp HV Amp
  • Corriente máxima de colector (Ic) 0.6 Ampere
  • De colector a base (CBO) 180 Voltios
  • De colector a emisor (CEO) 160 Voltios
  • De emisor a base (EBO) 6 Voltios
  • Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 100 Min
  • Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.35 (Watts)
  • Frecuencia MHz 100 Min

Transistores equivalentes

  • 2N118(T1), 2N119(T1), 2N120(T1), 2N355, 2N477A, 2N478A, 2N719, 2N720A, 2N845, 2N904AS, 2N1084, 2N1105, 2N1342

Usos

  • Amplificadores de video
  • Equipos de medicina
  • Equipos informáticos
  • Equipos de video

Fuente

  • NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
  • Imagen de Wikipedia.