Diferencia entre revisiones de «Memorias de acceso secuencial»
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Consiste en un conjunto de registros de desplazamiento en los que el primer dato guardado es el primer dato leído. Los datos se van leyendo en el mismo orden en que se escribieron. Permiten que los datos se escriban a una velocidad y se lean a otra. | Consiste en un conjunto de registros de desplazamiento en los que el primer dato guardado es el primer dato leído. Los datos se van leyendo en el mismo orden en que se escribieron. Permiten que los datos se escriban a una velocidad y se lean a otra. | ||
Actúa como buffer de datos entre sistemas diferentes: | Actúa como buffer de datos entre sistemas diferentes: | ||
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Toogle Fall-Through: con desplazamiento de datos. | Toogle Fall-Through: con desplazamiento de datos. | ||
Zero Fall-Throug: sin desplazamiento de datos. | Zero Fall-Throug: sin desplazamiento de datos. | ||
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Son dispositivos en los que el último dato almacenado es el primer dato leído. También llamadas memorias pila. Tienen dos operaciones: | Son dispositivos en los que el último dato almacenado es el primer dato leído. También llamadas memorias pila. Tienen dos operaciones: | ||
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LIFO basada en RAM + puntero. | LIFO basada en RAM + puntero. | ||
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Son dispositivos formados por una gran cantidad de [[condensadores]], [[semiconductores]] denominados canales. La información se introduce en serie por el canal, y se desplaza a lo largo del canal a una velocidad fijada por una señal de reloj. Se utilizan en las cámaras de vídeo digitales. | Son dispositivos formados por una gran cantidad de [[condensadores]], [[semiconductores]] denominados canales. La información se introduce en serie por el canal, y se desplaza a lo largo del canal a una velocidad fijada por una señal de reloj. Se utilizan en las cámaras de vídeo digitales. | ||
Suelen usarse como memoria de [[vídeo]]. | Suelen usarse como memoria de [[vídeo]]. | ||
Revisión del 15:09 19 mar 2012
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Memorias de acceso secuencial. Memorias a las que no se puede acceder directamente a la célula deseada, sino que para llegar a ella ha de pasarse obligatoriamente por todas las que preceden. En estas memorias si se quiere leer o escribir en una determinada posición es necesario ir pasando una por una todas las posiciones precedentes hasta llegar a la deseada y entonces realizar la operación.
Sumario
Clasificación general de las memorias semiconductoras
Clasificación de las memorias por la forma de acceso a la información
- Memorias de acceso aleatorio
- Memoria de acceso secuencial o serie
Memorias de acceso aleatorio
Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son memorias en las que cualquier información puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la célula de memoria elegida.
Memoria de acceso secuencial o serie
Para la lectura o escritura de una determinada célula, es preciso leer todas las células que le preceden físicamente
- Memoria asociativa: Es una memoria direccionable por su contenido, no por una dirección.
Clasificación de las memorias de acceso secuencial
Memorias FIFO (First In - First Out)
Consiste en un conjunto de registros de desplazamiento en los que el primer dato guardado es el primer dato leído. Los datos se van leyendo en el mismo orden en que se escribieron. Permiten que los datos se escriban a una velocidad y se lean a otra. Actúa como buffer de datos entre sistemas diferentes: Un sistema escribe datos rápidamente y luego se dedica a otras tareas, mientras que el otro sistema lo va leyendo lentamente. Arquitecturas principales Toogle Fall-Through: con desplazamiento de datos. Zero Fall-Throug: sin desplazamiento de datos.
Memorias LIFO (Last In - First Out)
Son dispositivos en los que el último dato almacenado es el primer dato leído. También llamadas memorias pila. Tienen dos operaciones:
- Push: escritura
- Pop: lectura
Los datos de entrada se van apilando haciendo Push y cuando se hace Pop, se lee el dato que esté en la cima de la pila. Las hay de dos tipos principalmente: LIFO basada en registros de desplazamiento. LIFO basada en RAM + puntero.
Memorias CCD (Charge-Coupled Device, dispositivo de carga acoplada)
Son dispositivos formados por una gran cantidad de condensadores, semiconductores denominados canales. La información se introduce en serie por el canal, y se desplaza a lo largo del canal a una velocidad fijada por una señal de reloj. Se utilizan en las cámaras de vídeo digitales. Suelen usarse como memoria de vídeo. Se acompañan de una RAM que se usa como almacenamiento masivo. El registro de desplazamiento cíclico permite dos opciones en función de la señal de control REC. REC=1: desplazamiento hacia la derecha REC=0: desplazamiento hacia la izquierda
Aplicaciones
Las memorias de acceso secuencial, obviamente no son de aplicación como memorias de datos o de programas de un ordenador ya que en el caso de tener que acceder, por ejemplo, a la palabra o posición de memoria número 256 K y suponiendo que se pudiera pasar de una posición a otra en 100ns, se necesitaría en el caso peor un tiempo de más de 25ms, para obtener la información deseada, esto es inadmisible en un ordenador. Sin embargo, en los periféricos de los ordenadores o en general en terminales de sistemas de transmisión de datos, existen muchas veces necesidad de disponer de pequeñas memorias temporales cíclicas que almacenan una información recibida y tienen por misión presentar esta información periódicamente.
Fuente
- Millman, Jacob. (1979). Microelectronics.
- Díaz Calvo, Julio. (1989). Electrónica Digital. Editorial Pueblo y Educación.
