Diferencia entre revisiones de «Transistor BC556»
(Página creada con '{{Ficha Hardware | nombre = BC556. | imagen = Bc556.jpg | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos. | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}},...') |
|||
Línea 1: | Línea 1: | ||
{{Ficha Hardware | {{Ficha Hardware | ||
| nombre = BC556. | | nombre = BC556. | ||
− | | imagen = | + | | imagen = BC556.jpg |
| pie = [[Transistor]]. | | pie = [[Transistor]]. | ||
| conn1 = A otros componentes electrónicos. | | conn1 = A otros componentes electrónicos. |
última versión al 07:29 4 abr 2013
|
BC556. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio. Es de una familia de transistores de silicio PNP de propósito general. Existen cuatro tipos de transistores: BC556, BC557, BC558 y BC559. Cada tipo de transistor a su vez se subdivide en tres grupos: A, B y C. El tipo de transistor denota sus características eléctricas, mientras que el grupo indica la ganancia de corriente. No todos los tipos están disponibles para todos los grupos.
Características
Número de Parte: BC556 Material: Si Polaridad de transistor: pnp
Especificaciones máximas
Disipación total del dispositivo (Pc): 500mW Tensión colector-base (Ucb): 80V Tensión colector-emisor (Uce): 65V Tensión emisor-base (Ueb): 5B Corriente del colector DC máxima (Ic): 100mA Temperatura operativa máxima (Tj): 150°C
Características eléctricas
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150MHz Capacitancia de salida (Cc), Pf: 8 Ganancia de corriente contínua (hfe): 75/450 Fabricante: SIEMENS Empaquetado / Estuche: TO92 Aplicaciones: Low Power, General Purpose