Diferencia entre revisiones de «Transistor BC640»
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última versión al 11:06 27 jun 2013
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Transistor BC640. Es un transistor bipolar de potencia media, compuesto por [[Silicio].
Composición del transistor
Es un transistor de potencia mediaen un encapsulado A-92; SOT54 plástico paquete. PNP compuesto por silicio, en su composición posee una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
Características
- Material: Si
- La estructura de transistor: p-n-p
- Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 1W
- Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
- Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 80V
- Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
- Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 1A
- Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
- Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 50MHz
Usos
- Amplificadores de audio
- Amplificadores de video
- Equipos informáticos
Transistores equivalentes
BC635, BC637 yBC639
Fuentes
- Transistor BC640 Disponible en: “http://www.pcpaudio.com” Consultado: 27 de junio de 2013.