Diferencia entre revisiones de «Transistor BUX80»
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Revisión del 17:41 5 dic 2011
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TransistorEl BUX80 es un epitaxial de silicio NPN
Características
Transistor planar que tiene la capacidad de alta corriente y alta velocidad de conmutación y de manejo.
Aplicación
Este dispositivo es especialmente adecuado para los amplificadores de conmutación de control, puertas de energía, reguladores de conmutación en convertidores de potencia, circuitos, inversores y circuitos de control
Características eléctricas
La estructura del transistor es N-P-N
- Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 100W
- Limite el colector DC-base (Ucb): 800V
- Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 400V
- Límite de tensión emisor-base (Ueb): 10V
- Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 10A
- Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
- Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 3MHz
- Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -
- Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 15MIN
Fuente
- Articulo http://www.dzjsw.com/sjg/b/BUX80.pdf consultado el 4 de diciembre del 2011
- Imagenes de Wikipedia.
