Diferencia entre revisiones de «Transistor KT814»
(Página creada con «{{Objeto|nombre= Transistor KT814 |imagen= KT814.jpg |tamaño=150px |descripcion= Transistor Bipolar PNP }} <div align=justify> '''KT814'''. Es un transistor bipolar de baj…») |
(→Descripción) |
||
| Línea 8: | Línea 8: | ||
== Descripción == | == Descripción == | ||
Este tipo de componente es de nacionalidad Ruso. Se fabrican con el encapsulado KT-89 con una distribución de pines es emisor, colector y base de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de tipo PNP. Su complementario es el KT815 y puede ser sustituido por el transistor BD136. | Este tipo de componente es de nacionalidad Ruso. Se fabrican con el encapsulado KT-89 con una distribución de pines es emisor, colector y base de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de tipo PNP. Su complementario es el KT815 y puede ser sustituido por el transistor BD136. | ||
| − | [[Image:KT814.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br /> | + | [[Image:Dist. KT814.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br /> |
| + | |||
== Principales características == | == Principales características == | ||
<div align=Left> | <div align=Left> | ||
Revisión del 11:48 17 dic 2018
| ||||
KT814. Es un transistor bipolar de baja potencia de polarización PNP y nacionalidad rusa.
Descripción
Este tipo de componente es de nacionalidad Ruso. Se fabrican con el encapsulado KT-89 con una distribución de pines es emisor, colector y base de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de tipo PNP. Su complementario es el KT815 y puede ser sustituido por el transistor BD136.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Colector-Emisor (Vce0) | 40-100 V |
| Corriente de Colector (IC) | 1,5 A |
| Ganancia mínima | 40 |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 10W |
Aplicaciones
Diseñado para su uso en: • Fuentes de alimentación
• Receptores de radio
• Bloques de equipos de amplia aplicación
