Diferencia entre revisiones de «Transistor MOSFET IRFBC40»
(→Descripción) |
|||
| (No se muestran 2 ediciones intermedias de 2 usuarios) | |||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
{{Objeto|nombre=MOSFET IRFBC40 | {{Objeto|nombre=MOSFET IRFBC40 | ||
| − | |imagen= | + | |imagen=IRFBC40.jpeg |
|tamaño=150px | |tamaño=150px | ||
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación y controladores. | |descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación y controladores. | ||
| Línea 7: | Línea 7: | ||
'''MOSFET IRFBC40'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de [[Potencia]] y canal N. | '''MOSFET IRFBC40'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de [[Potencia]] y canal N. | ||
== Descripción == | == Descripción == | ||
| − | Este tipo de componente es fabricado por | + | Este tipo de componente es fabricado por varias empresas dentro de los que se encuentran la International Rectifier, STMicroelectronics, Vishay Siliconix entre otros. Diseñados, probados y garantizados para soportar un nivel de energía especificado. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado es TO-220AB, su distribución de pines y simbología se muestra en la figura I y II respectivamente. |
[[Image: Dist_IRFBC40.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br /> | [[Image: Dist_IRFBC40.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br /> | ||
[[Image: Sim_IRFBC40.png|thumb|left|250px|Figura II.]]<br /> | [[Image: Sim_IRFBC40.png|thumb|left|250px|Figura II.]]<br /> | ||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
| − | |||
== Principales características == | == Principales características == | ||
última versión al 07:39 17 may 2019
| ||||
MOSFET IRFBC40. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de Potencia y canal N.
Descripción
Este tipo de componente es fabricado por varias empresas dentro de los que se encuentran la International Rectifier, STMicroelectronics, Vishay Siliconix entre otros. Diseñados, probados y garantizados para soportar un nivel de energía especificado. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado es TO-220AB, su distribución de pines y simbología se muestra en la figura I y II respectivamente.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDSS) | 600V |
| Corriente de Drenador (ID) | 6.2 A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 1.2Ω Máx |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 125W |
Aplicaciones
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
- Controladores de motores eléctricos.
- Controladores de Relé
- Fuentes conmutadas
Fuentes
- www.alphacron.de
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
