Transistor MOSFET IRFBC40

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MOSFET IRFBC40
Información sobre la plantilla

MOSFET IRFBC40. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de Potencia y canal N.

Descripción

Este tipo de componente es fabricado por varios fabricantes dentro de los que se encuentran la International Rectifier, STMicroelectronics, Vishay Siliconix entre otros. Diseñados, probados y garantizados para soportar un nivel de energía especificado. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado es TO-220AB, su distribución de pines y simbología se muestra en la figura I y II respectivamente.

Principales características

Características Valor
Voltaje Drenador Surtidor (VDSS) 600V
Corriente de Drenador (ID) 6.2 A
Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) 1.2Ω Máx
Potencia Total de Disipación ( PD) 125W

Aplicaciones

Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

Fuentes