Diferencia entre revisiones de «Transistor efecto campo K10(1GATE)»
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| + | Se basa su funcionamiento en que el control de la corriente se, realiza mediante la variación de un campo eléctrico, o sea, en este dispositivo semiconductor el control de la corriente de trabajo no se efectúa por la corriente en el circuito de entrada (de la base), como en un transistor bipolar, sino por la acción sobre los portadores de corriente de un campo eléctrico. De aquí el nombre de transistor de "efecto-campo. | ||
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Revisión del 13:39 5 sep 2011
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K10(1GATE). Es un transistor efecto campo, compuesto por CH.
Función
Se basa su funcionamiento en que el control de la corriente se, realiza mediante la variación de un campo eléctrico, o sea, en este dispositivo semiconductor el control de la corriente de trabajo no se efectúa por la corriente en el circuito de entrada (de la base), como en un transistor bipolar, sino por la acción sobre los portadores de corriente de un campo eléctrico. De aquí el nombre de transistor de "efecto-campo.
Partes
- Electrodos o plaquitas:
- Manantial o fuente.
- Vertedero o salida.
- Obturador o puerta.
Diferencias con el transistor bipolar
- Su operación depende solamente del flujo de portadores mayoritarios. Es un dispositivo unipolar, o sea, de un solo tipo de portador de carga eléctrica.
- Es de fácil construcción y ocupa mucho menor espacio de forma integrada.
- Posee una alta resistencia de entrada (Orden de MW).
- Es menos ruidoso.
- Mayor ganancia ancho de banda.
La principal aplicación del transistor FET es en circuitos integrados.
Características
- Polaridad (N)
- Amplificador VHF
- Voltage gate to source Min (volts) BV GSS 30
- Cutoff voltage gate to source Max(OFF) (Volts) VGS 6
- Drain current Zero-Gate Min- Max (mA) Idss 5-15
- Cap input Max (PF) Clss 4.5
- Rev trans cap Max (pf) Crss 1
- Transcon – ductance Typ (umhos) gts 5500
- Power dissp Max (mW) Pd 360
Transistores equivalentes
- K13, K16(SGD), K17(SGD)
Usos
- Amplificadores de audio
- Equipos de medicina
- Equipos informáticos
- Salida de video
- La radio
Fuente
- NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
