Transistor efecto campo K11-O(SGDC)

Transistor efecto campo K11-O(SGDC) Transistor. Conectado a: A otros componentes electrónicos. Fabricantes: Japón, China, Estados Unidos y otros países.

K11-O(SGDC). Es un transistor efecto campo, compuesto por CH.

Función

Se basa su funcionamiento en que el control de la corriente se, realiza mediante la variación de un campo eléctrico, o sea, en este dispositivo semiconductor el control de la corriente de trabajo no se efectúa por la corriente en el circuito de entrada (de la base), como en un transistor bipolar, sino por la acción sobre los portadores de corriente de un campo eléctrico. De aquí el nombre de transistor de "efecto-campo"

Partes

• Electrodos o plaquitas:
• Manantial o fuente.
• Vertedero o salida.
• Obturador o puerta.

Diferencias con el transistor bipolar.

• Su operación depende solamente del flujo de portadores mayoritarios. Es un dispositivo unipolar, o sea, de un solo tipo de portador de carga eléctrica.
• Es de fácil construcción y ocupa mucho menor espacio de forma integrada.
• Posee una alta resistencia de entrada (Orden de MW).
• Es menos ruidoso.
• Mayor ganancia ancho de banda.

La principal aplicación del transistor FET es en circuitos integrados.

Características

• Polaridad (N)
• Amplificador de Sw de propósito general
• Voltage gate to source Min (volts) BV GSS 30
• Cutoff voltage gate to source Max(OFF) (Volts) VGS 6
• Drain current Zero-Gate Min- Max (mA) Idss 2-6
• Drain current Max (OFF) (mA) Id 15
• Res drain to source Max(ON) (Ohms) rdss 400
• Cap input Max (PF) Clss 6
• Rev trans cap Max (pf) Crss 2
• Transcon – ductance Typ (umhos) gts 3500
• Power dissp Max (mW) Pd 300

Transistores equivalentes

• K11-R, K11-Y, K12

Usos

• Amplificadores de audio
• Equipos de medicina
• Equipos informáticos
• Salida de video
• La radio

Fuente

• NTE Electronics.inc.Previous Edition 2005.
• Wikipedia.