Transistor sup85n10-10

SUP85n10-10 MOSFET. Fabricantes: Japón, China, Estados Unidos y otros países.

Sup85n10-10. Es un circuito integrado, compuesto por siliciodopado.

Partes que lo componen

Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.

Especificaciones

• Altura de producto 9.01mm
• Anchura de producto 4.7mm
• Categoría MOSFET de potencia
• Configuración Single
• Corriente de drenaje continua máxima 85A
• Disipación de potencia máxima 250000mW
• Encapsulado fabricante TO-220AB
• Longitud de producto 10.41mm
• Modo de canal Mejora
• Montaje Pasante
• Número de elementos por chip 1
• Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105 ahoms
• Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
• Temperatura de funcionamiento mínima -55°C
• Tensión de fuente de drenaje máxima 100V
• Tensión máxima puerta-fuente ±20V
• Tiempo de caída típica 130ns
• Tiempo de retardo de apagado típico 55ns
• Tiempo de retardo de encendido típico 12ns
• Tiempo de subida típica 90ns
• Tipo de canal N
• Numero de pines 3

Aplicaciones

• Inversores
• Convertidores CD/CD
• Fuentes SMPS
• Equipos Informáticos
• Conmutación

Fuente

• Artículo Circuito integrado. Disponible en la Web "spanish.alibaba.com" Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011.
• Artículo Circuito Integrado SUP85N10-10 Disponible en la Web "spanish.alibaba.com" Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011].
• Aertículo Publicacion. Disponible en la Web "es.scribd.com" Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011.
• Artículo Mosfet. Disponible en la Web "es.wikipedia.org" Consultado: Septeimbre 9 de 2011.