Diferencia entre revisiones de «Transistor sup85n10-10»
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== Especificaciones == | == Especificaciones == | ||
| − | Altura de producto 9.01mm | + | *Altura de producto 9.01mm |
| − | Anchura de producto 4.7mm | + | *Anchura de producto 4.7mm |
| − | Categoría MOSFET de potencia | + | *Categoría MOSFET de potencia |
| − | Configuración Single | + | *Configuración Single |
| − | Corriente de drenaje continua máxima 85A | + | *Corriente de drenaje continua máxima 85A |
| − | Disipación de potencia máxima 250000mW | + | *Disipación de potencia máxima 250000mW |
| − | Encapsulado fabricante TO-220AB | + | *Encapsulado fabricante TO-220AB |
| − | Longitud de producto 10.41mm | + | *Longitud de producto 10.41mm |
| − | Modo de canal Mejora | + | *Modo de canal Mejora |
| − | Montaje Pasante | + | *Montaje Pasante |
| − | Número de elementos por chip 1 | + | *Número de elementos por chip 1 |
| − | Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105 | + | *Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105 ahoms |
| − | Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | + | *Temperatura de funcionamiento máxima 175°C |
| − | Temperatura de funcionamiento mínima -55°C | + | *Temperatura de funcionamiento mínima -55°C |
| − | Tensión de fuente de drenaje máxima 100V | + | *Tensión de fuente de drenaje máxima 100V |
| − | Tensión máxima puerta-fuente ±20V | + | *Tensión máxima puerta-fuente ±20V |
| − | Tiempo de caída típica 130ns | + | *Tiempo de caída típica 130ns |
| − | Tiempo de retardo de apagado típico 55ns | + | *Tiempo de retardo de apagado típico 55ns |
| − | Tiempo de retardo de encendido típico 12ns | + | *Tiempo de retardo de encendido típico 12ns |
| − | Tiempo de subida típica 90ns | + | *Tiempo de subida típica 90ns |
| − | Tipo de canal N | + | *Tipo de canal N |
| − | Numero de pines 3 | + | *Numero de pines 3 |
== Aplicaciones == | == Aplicaciones == | ||
| − | * | + | *Inversores |
| − | *[[Convertidores]] CD/CD | + | *[[Convertidor|Convertidores]] CD/CD |
*Fuentes [[SMPS]] | *Fuentes [[SMPS]] | ||
| − | *Equipos | + | *Equipos Informáticos |
*[[Conmutación]] | *[[Conmutación]] | ||
| − | == | + | == Fuentes == |
| − | *[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Consultado: | + | *Artículo [http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Disponible en: "spanish.alibaba.com". Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011. |
| − | *[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html | + | *Artículo [http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito Integrado SUP85N10-10] Disponible en: "spanish.alibaba.com". Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011]. |
| − | *[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET | + | *Artículo [http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Qué es un MOSFET]. Disponible en: "es.scribd.com". Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011. |
| − | *[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011. | + | *Artículo [http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Disponible en: "es.wikipedia.org". Consultado: Septeimbre 9 de 2011. |
| − | [[Category:Electrónica]] | + | [[Category:Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]] |
última versión al 13:18 12 sep 2012
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Sup85n10-10. Es un circuito integrado, compuesto por siliciodopado.
Partes que lo componen
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Especificaciones
- Altura de producto 9.01mm
- Anchura de producto 4.7mm
- Categoría MOSFET de potencia
- Configuración Single
- Corriente de drenaje continua máxima 85A
- Disipación de potencia máxima 250000mW
- Encapsulado fabricante TO-220AB
- Longitud de producto 10.41mm
- Modo de canal Mejora
- Montaje Pasante
- Número de elementos por chip 1
- Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105 ahoms
- Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
- Temperatura de funcionamiento mínima -55°C
- Tensión de fuente de drenaje máxima 100V
- Tensión máxima puerta-fuente ±20V
- Tiempo de caída típica 130ns
- Tiempo de retardo de apagado típico 55ns
- Tiempo de retardo de encendido típico 12ns
- Tiempo de subida típica 90ns
- Tipo de canal N
- Numero de pines 3
Aplicaciones
- Inversores
- Convertidores CD/CD
- Fuentes SMPS
- Equipos Informáticos
- Conmutación
Fuentes
- Artículo Circuito integrado. Disponible en: "spanish.alibaba.com". Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011.
- Artículo Circuito Integrado SUP85N10-10 Disponible en: "spanish.alibaba.com". Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011].
- Artículo Qué es un MOSFET. Disponible en: "es.scribd.com". Consultado: 9 de septiembre 9 de 2011.
- Artículo Mosfet. Disponible en: "es.wikipedia.org". Consultado: Septeimbre 9 de 2011.
