Transistor sup85n10-10
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Sup85n10-10. Es un circuito integrado, compuesto por siliciodopado.
Partes que lo componen
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Especificaciones
Altura de producto 9.01mm Anchura de producto 4.7mm Categoría MOSFET de potencia Configuración Single Corriente de drenaje continua máxima 85A Disipación de potencia máxima 250000mW Encapsulado fabricante TO-220AB Longitud de producto 10.41mm Modo de canal Mejora Montaje Pasante Número de elementos por chip 1 Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105 Temperatura de funcionamiento máxima 175°C Temperatura de funcionamiento mínima -55°C Tensión de fuente de drenaje máxima 100V Tensión máxima puerta-fuente ±20V Tiempo de caída típica 130ns Tiempo de retardo de apagado típico 55ns Tiempo de retardo de encendido típico 12ns Tiempo de subida típica 90ns Tipo de canal N Numero de pines 3
Aplicaciones
- Inversores
- Convertidores CD/CD
- Fuentes SMPS
- Equipos informáticos
- Conmutación
Fuente
- Circuito integrado. Consultado: Septeimbre 9 de 2011
- Imagen. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.
- Publicacion. Consultado: Septeimbre 9 de 2011
- Mosfet. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.
