Transistor sup85n10-10
| ||||||
Sup85n10-10. Es un circuito integrado, compuesto por siliciodopado.
Partes que lo componen
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Especificaciones
| Caracteristica | valor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Altura de producto | - | Anchura de producto | - | Categoría | - | Configuración | - | Corriente de drenaje continua máxima | - | Disipación de potencia máxima | - | Encapsulado fabricante | - | Longitud de producto | - | Modo de canal | - | Montaje | - | Número de elementos por chip | - | Resistencia de fuente de drenaje máxima | - | Temperatura de funcionamiento máxima | - | Temperatura de funcionamiento mínima | - | Tensión de fuente de drenaje máxima | - | Tensión máxima puerta-fuente | - | Tiempo de caída típica | - | Tiempo de retardo de apagado típico | - | Tiempo de retardo de encendido típico | - | Tiempo de subida típica | - | Tipo de canal | - | Numero de pines | - |
Aplicaciones
- Inversores
- Convertidores CD/CD
- Fuentes SMPS
- Equipos Informáticos
- Conmutación
Fuente
- Circuito integrado. Consultado: Septeimbre 9 de 2011
- Imagen. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.
- Publicacion. Consultado: Septeimbre 9 de 2011
- Mosfet. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.
